(Informaci\u00f3n remitida por la empresa firmante)<\/p>\n
\n— Tecnolog\u00eda clave que impulsa la alta eficiencia y la miniaturizaci\u00f3n para centros de datos de IA, rob\u00f3tica y otras aplicaciones <\/p>\n
\n— MPW GaN dedicado previsto para finales de octubre <\/p>\n
\n— Ampliaci\u00f3n de la experiencia en BCD a semiconductores compuestos, incluidos GaN y SiC<\/p>\n
\nSE\u00daL, Corea del Sur, 11 de septiembre de 2025 \/PRNewswire\/ — DB HiTek, una fundici\u00f3n especializada l\u00edder en 8 pulgadas, ha anunciado hoy que se encuentra en las \u00faltimas fases de desarrollo de su proceso E-Mode GaN HEMT (transistor de alta movilidad de electrones de nitruro de galio) de 650 V, una plataforma de semiconductores de potencia de \u00faltima generaci\u00f3n. La empresa tambi\u00e9n ofrecer\u00e1 un programa MPW (oblea multiproyecto) GaN dedicado a finales de octubre.<\/p>\n
En comparaci\u00f3n con los dispositivos de potencia tradicionales basados en silicio, los semiconductores basados en GaN ofrecen un rendimiento superior en condiciones de funcionamiento de alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura, ofreciendo una eficiencia energ\u00e9tica excepcional. En particular, el HEMT de GaN en modo E de 650 V destaca por su rendimiento de conmutaci\u00f3n de alta velocidad y su robusta estabilidad operativa, lo que lo hace ideal para infraestructuras de carga de veh\u00edculos el\u00e9ctricos, sistemas de conversi\u00f3n de energ\u00eda en centros de datos de hiperescala y equipos avanzados de redes 5G.<\/p>\n
En 2022, cuando el mercado de semiconductores compuestos a\u00fan estaba en sus inicios, DB HiTek identific\u00f3 el GaN y el SiC como impulsores clave del crecimiento y, desde entonces, ha invertido significativamente en el desarrollo de procesos. Un portavoz de DB HiTek coment\u00f3: \u00abDB HiTek ya es reconocido mundialmente por su liderazgo en tecnolog\u00edas de semiconductores de potencia basados en silicio, incluyendo el desarrollo del primer proceso BCDMOS de 0,18 \u00b5m de la industria. Al incorporar las capacidades del proceso de GaN, esperamos mejorar la competitividad de la empresa con una amplia cartera tecnol\u00f3gica\u00bb.<\/p>\n
Tras la finalizaci\u00f3n del proceso HEMT de GaN de 650 V, DB HiTek planea implementar un proceso de GaN de 200 V y un proceso de GaN de 650 V optimizado para la integraci\u00f3n de CI (circuitos integrados) para finales de 2026. De cara al futuro, la empresa apunta a expandir su plataforma de GaN en un espectro de voltaje m\u00e1s amplio, alineado con las necesidades del mercado y los requisitos de los clientes.<\/p>\n
Para apoyar estas iniciativas, DB HiTek est\u00e1 ampliando las instalaciones de sala limpia de Fab2, ubicadas en Chungcheongbuk-do, Corea del Sur. Se espera que la ampliaci\u00f3n aumente la capacidad de aproximadamente 35.000 obleas de 8 pulgadas al mes, lo que permitir\u00e1 la producci\u00f3n de procesos de GaN, BCDMOS y SiC. Una vez finalizada la ampliaci\u00f3n, la capacidad mensual total de obleas de DB HiTek aumentar\u00e1 un 23%, de 154.000 a 190.000 obleas.<\/p>\n
Mientras tanto, DB HiTek participar\u00e1 en la ICSCRM (Conferencia Internacional sobre Carburo de Silicio y Materiales Relacionados) 2025, programada del 15 al 18 de septiembre en BEXCO, Busan. En este foro global del sector, DB HiTek destacar\u00e1 los avances en el desarrollo de procesos de SiC, junto con sus tecnolog\u00edas de GaN y BCDMOS, y se comunicar\u00e1 directamente con clientes y l\u00edderes del sector.<\/p>\n
Logo – https:\/\/mma.prnewswire.com\/media\/2656225\/image_5026888_21003402_Logo.jpg<\/p>\n
View original content:https:\/\/www.prnewswire.com\/news-releases\/db-hitek-inicia-la-habilitacion-de-clientes-para-el-proceso-hemt-gan-de-650-v-302551399.html<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
(Informaci\u00f3n remitida por la empresa firmante) — Tecnolog\u00eda clave que impulsa la alta eficiencia y la miniaturizaci\u00f3n para centros de datos de IA, rob\u00f3tica y otras aplicaciones — MPW GaN dedicado previsto para finales de octubre — Ampliaci\u00f3n de la experiencia en BCD a semiconductores compuestos, incluidos GaN y SiC SE\u00daL, Corea del Sur, 11 […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[2],"tags":[],"class_list":["post-63477","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-noticias"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/63477","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=63477"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/63477\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=63477"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=63477"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/webciudadana.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=63477"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}